Een van de prioriteiten bij de uitrol van High Volume Manufacturing EUV Lithography is het verhogen van de product yield. Dit heeft betrekking op de de waferscanners zelf maar ook van de infrastructuur rondom de waferscanner. In de niet-EUV scanners ligt de yield boven de 99%, bij EUV is dit nog steeds niet boven de 95%. Voornaamste boosdoener is het onstaan van defecten op de chips (veroorzaakt kortsluiting) ten gevolge van particles op reticles en wafers. Een gekozen strategie is om particles in een scanner te voorkomen. Hiervoor is snelle detectie van particles nodig en vaak ook informatie over de grote van de gedetecteerde particles omdat dit bepaalt of een particle wel of geen effect op de productie kan hebben. Dit project is bedoeld om aan te tonen dat door combinatie van 2 particle detectie technieken problemen in de detectie van particles worden opgelost. Om te onderzoeken of een hybride sensor, een combinatie van Fastmicro en OCT, voldoende snel, nauwkeurig en betrouwbaar de schoonheid van een oppervlak, van wafer, pellicle of reticle, kan meten zoals belangrijk is voor de gebruikers, wordt een test opstelling gebouwd waarmee de prestaties van de techniek worden onderzoc | In dit project kan het bedrag onder Rijksbijdrage ook deels afkomstig zijn van andere subsidieverstrekkers. Hierbij valt te denken aan Europese subsidies zoals EFRO.
